Kapitel 6: Einzelelektronen Tunneln
- Untertitel 6.1 Coulomb-Blockade, 6.2 Elektrostatische Betrachtung im allgemeinen Fall, 6.5 Einzelelektronentunneltransistor
- Sprecher Prof. Dr. M. Huth
- Ort Physik __.401
- Datum 15.07.2011 @ 08:13
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Kapitel 5: Elektronischer Transport in Nanostrukturen/Kapitel 6: Einzelelektronen Tunneln
- Untertitel 5.4.4 "Edge States" im QHE, 5.5 Elektronische Phasenkohärenz, 5.5.1 Aharnov-Bohm-Effek , 5.5.2 Schwache Lokalisierung
- Sprecher Prof. Dr. M. Huth
- Ort Physik __.401
- Datum 08.07.2011 @ 08:13
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Recording
- Untertitel 5.4.3 Quantenpunktkontakte
- Sprecher Prof. Dr. M. Huth
- Ort Physik __.401
- Datum 01.07.2011 @ 08:12
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Kapitel 5: Elektronischer Transport in Nanostrukturen
- Untertitel 5.2 Landau-Quantisierung, Chemisches Potential im Magnetfeld, 5.3.1 Über die Ursache des QHE
- Sprecher Prof. Dr. M. Huth
- Ort Physik __.401
- Datum 24.06.2011 @ 08:14
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Kapitel 4: Fabrikations- und Charakterisierungstechniken/Kapitel 5: Elektronischer Transport in Nanostrukturen
- Untertitel Rasterelektronenmikroskop (SEM), Transmissionselektronenmikroskop (TEM), 5.1 Längen- und Zeitskalen
- Sprecher Prof. Dr. M. Huth
- Ort Physik __.401
- Datum 17.06.2011 @ 08:17
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Kapitel 4: Fabrikations- und Charakterisierungstechniken
- Untertitel 4.2 Methoden der Nanostrukturierung "top-to-bottom": Elektronenstrahllithographie, Ätzen; 4.3 "Bottom-Up"-Methode: Spontane Bildung von Nanostrukturen; Rasterkraftmikroskop
- Sprecher Prof. Dr. M. Huth
- Ort Physik __.401
- Datum 10.06.2011 @ 08:20
- Beschreibung Auf Grund technischer Probleme war es leider nicht möglich, die Folien mit aufzuzeichnen.
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Kapitel 3: Materialien der Nanoelektronik/Kapitel 4: Fabrikations- und Charakterisierungstechniken
- Untertitel 3.6 Granulare elektronische Systeme, 4.1 Aspekte der Kristallzüchtung von Si, 4.2 Methoden der Nanostrukturierung - "top-to-bottom"
- Sprecher Prof. Dr. M. Huth
- Ort Physik __.401
- Datum 03.06.2011 @ 08:14
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Materialien der Nanoelektronik
- Untertitel Kohlenstoff Nanoröhrchen, Fullarene, Granulare Systeme
- Sprecher Prof. Dr. M. Huth
- Ort VileaRecorder
- Datum 27.05.2011 @ 08:27
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Kapitel 3: Materialien der Nanoelektronik
- Untertitel Ladungsneutralität, 3.3 Halbleiter Heterostrukt, 3.4 Gitter(fehl)anpassung, Pseudomorphie, 3.5 Organische Halbleiter, 3.6 Graphen
- Sprecher Prof. Dr. M. Huth
- Ort Physik __.401
- Datum 20.05.2011 @ 08:13
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Kapitel 3: Materialien der Nanoelektronik
- Untertitel Kp-Näherung, Superponierte Potentiale, Dotierung, Halbleiteroberflächen, -Grenzflächen
- Sprecher Prof. Dr. M. Huth
- Ort Physik __.401
- Datum 13.05.2011 @ 08:13
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Kapitel 3: Materialien der Nanoelektronik
- Untertitel 3.1 Halbleiter (Si,GaAs): Energiebänder, "tight binding"-Ansatz
- Sprecher Prof. Dr. M. Huth
- Ort Physik __.401
- Datum 06.05.2011 @ 08:14
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Kapitel 2: Ausgewählte Kapitel der Quantentheorie, Kapitel: 3 Materialien der Nanoelektronik
- Untertitel 2.1 Eindimensionale Falle, 2.2 Subbänder, 2.4 Quanten-Reflexion,-Transmission und Tundra, 3.1 Halbleiter
- Sprecher Prof. Dr. M. Huth
- Ort Physik __.401
- Datum 29.04.2011 @ 08:13
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